2026年6月2日下午，大湾区大学松山湖校区举办高水平前沿学术报告会。华南师范大学侯志鹏研究员受邀主讲，围绕二维范德瓦尔斯磁性材料与斯格明子可控调控、新型信息存储器件等前沿方向开展系统性、深层次学术分享。本次交流进一步拓宽了我校师生在凝聚态物理、自旋电子学、新材料等交叉领域的学术视野。活动由学校林仕容助理教授主持，校内相关学科师生代表20余人现场参与交流。

      报告伊始，侯志鹏研究员立足全球信息技术发展趋势，点明高密度、低功耗、多态化新型存储技术是下一代信息产业升级的核心突破口。随着全球数据量呈指数级增长，传统磁存储技术在存储密度、读写速度与能耗方面已逼近物理极限，亟需依托新型磁结构、新材料体系与新调控机制实现技术迭代。其中，斯格明子拓扑磁准粒子凭借纳米尺度、拓扑稳定性、多自由度可调控等独特优势，成为构建多态存储、类脑神经形态计算器件的核心研究对象，是当前材料物理与信息存储交叉领域的前沿热点。 
       针对当前二维磁性材料斯格明子研究领域存在的机理争议、材料制备难点、器件调控瓶颈等行业共性问题，侯志鹏研究员系统梳理了斯格明子的微观形成机制、两类拓扑磁结构的实验判定方法，重点介绍了团队在范德瓦尔斯磁性材料本征结构破缺、元素掺杂改性、室温高密度斯格明子可控制备等方面的系列原创成果。

      报告详细阐释了铁原子晶格偏析诱导本征对称性破缺的新物理机制，厘清了长期以来学界对铁锗基二维材料奈尔型、布洛赫型斯格明子共存的机理争议，建立了组分、厚度与磁拓扑结构之间的精准关联。 
      在此基础上，报告进一步展示了团队通过重元素铱掺杂优化磁性相互作用，成功实现室温条件下外磁场直写、无热处理辅助的高密度、小尺寸斯格明子制备，将磁结构尺寸大幅压缩至40纳米量级，显著提升了二维磁性材料的存储应用潜力。面向器件应用难题，侯志鹏研究员创新性引入飞秒超快激光无接触调控技术，突破传统电场、应力调控在二维层状材料中的局限性，实现超低功耗、高精度、可重复的斯格明子手性翻转与多阻态调控，为构建新型多态存储与类脑计算器件提供了全新技术路径。

    作为拓扑磁性存储材料领域的国际知名学者，侯志鹏研究员主要从事磁斯格明子材料开发与器件研究，以通讯作者在Nat. Nanotechnol.、Sci. Adv.、Nat.Commun. (3篇)、Adv. Mater. (4篇)等期刊发表SCl论文四十余篇，主持国家自然科学基金优秀青年科学基金、广东省自然科学基金杰出青年基金、广东省联合重点基金等，获得中国新锐科技人物创新贡献奖，粤港澳大湾区优秀成果奖。
      整场报告内容前沿、逻辑清晰、深入浅出，兼具基础物理机理深度与工程器件应用价值。报告尾声，在场师生围绕二维材料改性机理、激光调控实验方案、新型存储器件设计等前沿问题与侯志鹏研究员展开充分交流研讨，现场学术氛围浓厚。